357章3D闪存技术(1/2)

听到杨杰的话，何玉光跟席海清等人也是十分激动。

这几年下来，总公司不停地砸钱在研发上面，研发人员也是不停地增加，每年的研发经费都在二十多亿，而且现在还在增加。

因为杨杰的提出的很多技术方案难度非常大，而且光刻机是十分高精密的仪器，光是提升某一个指标就要费尽九牛二虎之力，而且老板制定的目标都是世界级的难度，何玉光不得不费尽心思从全国各地甚至从海外找来了最顶尖的人才一同攻关。

这几年华兴科技集团公司在这上面砸进去了六七十亿，但是公司创造出来的营收总的营收却不到四十亿，基本上还是靠总公司这边撑着。

何玉光听到杨杰一直要撑到国内的产业链起来才会让瑞星科技公司独立出去，他跟席海清心中也是感慨万分——

能对国内的半导体产业有着如此清醒认识且有着无比坚定意志的人也就属杨少一个人了！

“瑞星科技公司的刻蚀机技术现在已经成熟，倒是可以先在国际市场上扑腾了，一座晶圆厂需要四五十台，国际上的需求还是很大的。”

杨杰笑笑着道：“现在市面上卖的刻蚀机需要两百万美元，我们卖一千万已经是很便宜了，现在国内的晶圆厂基本上都是使用我们的刻蚀机，现在可以走出国门在这个领域跟国外这些公司抢食吃了。”

瑞星科技公司这几年在国内差不多卖出去了两百多台，基本上已经将国内的市场给抢光了，而且刻蚀机的生产制造实现了国产，不会被卡住脖子，基本上是想造多少就有多少。

现在的刻蚀机在自动化程度上跟国外的技术水平想当，杨杰很有信心从全球一百多亿美的刻蚀机设备市场里面抢到一部分的蛋糕吃。

何玉光跟席海清都是点头。

谭云松问道：“杨少，新蓝科技研究中心做的闪存颗粒设计图纸和制备流程工艺你看了吗？觉得行吗？”

杨杰道：“有一些问题需要修改，照目前的设计，生产很困难，良品率很低。”

谭云松忙问：“就要进行试验试制了，这样一来岂不是要失败？”

杨杰笑道：“今晚上我就要赶到潭州去研发中心帮着再修改。”

“杨少亲自出马，这次是要定稿了吧？”谭云松笑着道。

“我只是说一下我的想法，具体的还是要他们来修改。”

杨杰笑着道：“他们在io输入输出接口设计上太想当然，没有考虑制备难度和工序，d引擎设计不够精简，影响存取速度，校验算法效率不高导致坏区检验能力不足，颗粒使用时间长了以后数据会经常出错。”

谭云松几乎要哭出来：“杨少你怎么不早说？我还以为那个设计很完美呢？韩小龙前两天还在到处吹牛，说顶多流个七八次片就能试验成功。”

“他们的研发思路是没有错，只要稍微修改一下设计，这样可以把制备流程缩短30，生产成本会大幅下降，以后良品率也会很容易上去。”

“杨少你真是天才，一眼就看出了这里面的问题，连如何修改都想好了，有你这样的天才，我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”

杨杰哈哈笑一笑，老天爷好不容易让自己重生一回，自己手头上有大量的技术专利，不拿出利用那简直太暴殄天物了！

“我都怀疑杨少你上辈子是不是搞ic的？这辈子是带着记忆投胎？为什么有着如此多的想法？”

“谭总你可是还科学家呢！怎么还相信这一套！”

谭云松笑了起来：“没办法，国内在半导体产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没办法用科学来解释。”

“这不是谭总最希望看到的结果么。”杨杰笑着道。

次日，杨杰也是出现在了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部门的技术工程师，中间还有二十多名的美国的工程师。

他指着投影屏幕上自制的说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0。”

杨杰继续说道：“氮化硅之前只是用在对底层金属实现覆盖，因为针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮化硅注入沟道边沿。”

他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。

“由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘。正是这样，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的闪存容量增加了一倍。”

“在这个基础上，我们可以今后发展出多电压控制栅极多层注入电荷技术产品，实现多层的堆叠，可以用这种技术在现有的制程工艺上最大限度地增加闪存的容量，而不是完全依靠制程工艺的提升，这也大大地降低了闪